1. 최대 Probe전류 90nA에 의해 가공의 고속화와 대면적 가공을 실현
2. 저가속전압(0.5kV~) 가공 및 저가속전압시의 이차전자상 분해능 향상에 따라 low damage TEM시료 제작이 가능
3. 이차저자상 분해능 4nm＠30kV에 의한 고분해능 SIM상 관찰이 가능합니다.
4. 고정밀 2축 전동mechanical eucentric stage 채용
   stage 이동(Tilt 포함)을 수반하는 복수 point의 다양한 가공이 자동 운전으로 가능합니다.
5. 우수한 조작성과 다양한 가공모드
6. SIM Image 3D Reconstruction Analysis
   등간격 Silce 단면 가공과 관찰을 반복해서, 다수의 단면 SIM상을 취득해서 3D 재구축하는 것이 가능합니다.
   복수 입자의 분산 상태와 Hole 등의 3차원 정보를 가시화 하는 경우 등에 유효합니다.
7. Multi Gas 공급 System(MGS-II)을 이용한 회로수정
   보호막 재료, 배선 재료, 절연막, Etching강화 등 다양한 용도에 맞춰서, 복수의 gas를 조사 가능한 시스템 입니다.
8. 다양한 좌표 linkage 기능
   Hitachi High-Tech Science 독자의 다양한 좌표 linkage 기능에 의해,
   정확한 가공 위치 결정과 대폭 시간 단축이 가능합니다.